Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13003 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn
Производитель: MOTOROLA
Сфера применения: Medium Power, High Voltage, General Purpose
Популярность: 61514
Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора MJE13003
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Коллективный разум. Дополнения для транзистора MJE13003.
Вы знаете больше о транзисторе MJE13003, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Другие разделы справочника:
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба .
Спасибо за терпение и сотрудничество.
Т ранзисторы кремниевые структуры n-p-n, высоковольтные усилительные. Производство транзисторов 13001 локализовано в странах Юго-восточной Азии и в Индии. Применяются в маломощных импульсных блоках питания, зарядных устройствах для различных мобильных телефонов, планшетов и т. п.
Внимание! При близких(почти идеинтичных) общих параметрах у разных производителей транзисторы 13001 могут отличаться по расположению выводов .
Выпускаются в пластмассовых корпусах TO-92, с гибкими выводами и TO-126 с жесткими.
Тип прибора указывается на корпусе.
На рисунке ниже - цоколевка MJE13001 и 13001 разных производителей, с разными корпусами.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока
у 13001 может быть
от 10
до 70
, в зависимости от буквы.
У MJE13001A - от 10
до 15
.
У MJE13001B - от 15
до 20
.
У MJE13001C - от 20
до 25
.
У MJE13001D - от 25
до 30
.
У MJE13001E - от 30
до 35
.
У MJE13001F - от 35
до 40
.
У MJE13001G - от 40
до 45
.
У MJE13001H - от 45
до 50
.
У MJE13001I - от 50
до 55
.
У MJE13001J - от 55
до 60
.
У MJE13001K - от 60
до 65
.
У MJE13001L - от 65
до 70
.
Граничная частота передачи тока
- 8
МГц.
Максимальное напряжение коллектор - эмиттер - 400 в.
Максимальный ток коллектора(постоянный)
-
200
мА.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА - 0,5 в.
Напряжение насыщения база-эмиттер
при токе коллектора 50мА, базы 10мА
- не выше 1,2
в.
Рассеиваемая мощность коллектора - в корпусе TO-92 - 0.75 Вт, в корпусе TO-126 - 1.2 Вт без радиатора.
Использование каких - либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13003 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn
Производитель: MOTOROLA
Сфера применения: Medium Power, High Voltage, General Purpose
Популярность: 61513
Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора MJE13003
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Коллективный разум. Дополнения для транзистора MJE13003.
Вы знаете больше о транзисторе MJE13003, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Другие разделы справочника:
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба .
Спасибо за терпение и сотрудничество.